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英飞凌与碳化硅质料独角兽天科合达签约乐成-国
5月3日新闻,援引英飞凌科技股份公司2023年5月23日官网新闻,英飞凌公司正推动其碳化硅(SiC)供应商系统多元化,并与中国碳化硅质料供应商北京天科合达半导体股份有限公司签署了一份耐久供货协议,以确保获得更多具有竞争力的碳化硅泉源。天科合达将为英飞凌供应用于生产SiC半导体的6英寸碳化硅质料,其供应量占到英飞凌未来耐久展望需求的两位数份额。
英飞凌是国际著名的半导体公司,其前身是西门子团体的半导体部门,英飞凌手艺实力雄厚,在功率半导体市场占有率国际*。近年来,英飞凌公司不停增强其SiC制造能力,并延续看好亚太区第三代半导体市场。公司制订了远景目的,力争在2030年杀青30%全球SiC市场份额。
基于对碳化硅生长远景的充实看好,英飞凌公司在已往几年,与全球碳化硅质料主要供应商纷纷签署耐久供货协议。可能是出于对亚太市场尤其是中国市场的思量,英飞凌公司推动了这次与中国供应商天科合达耐久相助协议的签署。
据业一位内人士称,天科合达这家碳化硅质料公司是具有深挚的中科院靠山和国资靠山的高科技企业。公司在2006年确立,确立之初的主要手艺源自中科院物理研究所,主要产业化支持资金泉源于新疆天富团体。近年来,随同着“双碳”建设的深入实行以及国家对第三代半导体的鼎力支持,以新能源汽车、光伏风电、储能设施、轨道交通、5G通讯等为主要应用的碳化硅市场快速扩容。以天科合达、天岳先进、烁科晶体等为代表的海内碳化硅质料企业迎来快速生长的时机。天科合达在导电衬底领域尤为精彩,占有了海内一半以上的市场份额,2021年国际市场占有率排名第四,在产物良率方面也处于行业*职位。公司已经获得国家政策基金和产业基金的鼎力支持,国家集成电路产业投资基金、哈勃科技投资基金、比亚迪、宁德时代、润科基金都是天科合达的股东。此次双方相助协议的签署,是英飞凌公司对天科合达产物质量的充实一定,也是英飞凌完善供应链建设的一次要害选择。英飞凌位于马来西亚居林的碳化硅工厂设计于2024年投产,预计天科合达将会有用保证该厂的碳化硅晶圆供应。
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谈起就碳化硅的主要优势时,陈小龙示意,碳化硅是引领第三代半导体产业生长的主要质料,应用远景广漠,大大助力于“双碳”战略的实行。碳化硅属于第三代半导体质料,和*代以硅为主、第二代以砷化镓为主的半导体质料相比,具有禁带宽度大、饱和电子迁徙率高、导热性能等优势,稀奇适合于做大功率、耐高温、耐高压的半导体器件。好比电动汽车应用碳化硅器件做逆变器、变压器,甚至是车载充电桩,可以做得体积小,重量轻,这样提高电动汽车的续航里程,同时转换效率高,能够有用节能。在光伏逆变器和储能逆变器领域,提高电能行使率,大大降低能消耗失。未来碳化硅器件将会笼罩更高电压品级器件,可应用于轨道交通和智能电网等领域。碳化硅功率器件导通电阻底,开关频率高,能够有用降低系统能耗,到达节能减排的目的,是为“双碳”战略服务的主要质料。
但我国碳化硅手艺起步较晚,天科合达是中科院物理研究所产学研相助乐成的典型案例,一直在推动着海内碳化硅手艺提高。碳化硅(SiC)晶体生长极其难题,上世纪90年月只有少数蓬勃国家掌握SiC晶体生长和加工手艺,我国起步较晚。为推动SiC晶体国产化,制止我国宽禁带半导体产业被“卡脖子”,我们团队从1999年最先,从基础研究到应用研究,自主研发突破了从生长装备到高质量SiC晶体生长和加工等要害手艺。我们形成了具有自主知识产权的完整手艺蹊径,进而推动海内*家SiC晶体产业化公司北京天科合达确立。天科合达不停生长壮大,取得了不错的经济和社会效益,动员了整个产业链快速生长,团队因此获得了中国科学院2020年度科技促进生长奖,成为中科院产学院相助的一个优异案例。
对于这次签约,陈教授说,国际碳化硅器件厂商与质料厂签署长约,一直是普遍的做法,英飞凌锁定天科合达的部门产能,即有利于推动天科合达手艺提高,也牢固了英飞凌的供应链系统,是一个双赢的选择。
另外,中科院物理所陈小龙教授还称,现在物理所研发团队还关注碳化硅液相法晶体生长手艺,希望基础研究上跟进一步,为其产业化生长奠基基础。